机译:GaInAsP / InP半导体薄膜DFB激光器的注入电流及热特性分析。
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻;
〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻;
〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻;
〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻;
〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻;
〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5,東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 〒152-8552 東京都目黒区大岡山 2-12-1 S9-5;
半導体薄膜レーザ; 横方向電流注入; 強光閉じ込め; 熱特性解析;
机译:GaInAsP / InP半导体薄膜DFB激光器的注入电流及热特性分析。
机译:GaInAsP / InP半导体薄膜DFB激光器的注入电流及热特性分析。
机译:GaInAsP / InP半导体薄膜DFB激光器的注入电流及热特性分析。
机译:GaInAsP / InP脊形波导半导体薄膜DR激光器在高速操作下的能量成本
机译:GaInAsP / InP长波长半导体激光器的研究
机译:通过光声光谱学研究半导体缺陷状态和缺陷产生以及通过电流注入声学方法研究半导体激光器的非发射过程。(VI。半导体的晶格弛豫,强耦合电子-晶格系统的动力学性质,科研补助金。 (会议报告)