机译:级联结构中600 V GaN HEMT的评估和应用
Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Center for Power Electronics Systems, Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg, Blacksburg, USA|c|;
Cascode structure; gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT); hard-switching; normally on; soft-switching;
机译:用于大功率开关应用的级联Paralleled-GaN-HEMT封装的热性能评估
机译:用于电源转换器的600V GaN HEMT和GaN二极管的研究
机译:通过瞬态热测试评估封装的GaN HEMT共源共栅功率开关的热性能
机译:600V GaN HEMT在共源共栅结构中的评估与应用
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:Gan-Hemts Cascode开关:电源调节应用的制造和演示