机译:用Si MOSFET和GaN Hemts的电力转换器产生辐射电磁干扰的分析与比较
Univ Florida Gainesville FL 32611 USA;
Univ Florida Gainesville FL 32611 USA;
Texas Instruments Inc Dallas TX 75243 USA;
GaN HEMT; power converter; radiated electromagnetic interference (EMI); Si MOSFET;
机译:EV / HEV用GaN HEMT和Si MOSFET功率转换器的共模电磁干扰特性的案例研究
机译:基于SiC MOSFET和GaN HEMT的高效大功率密度7.2 kW EV电池充电器的比较
机译:小波变换在大功率太瓦特激光装置中辐射电磁干扰分析中的应用
机译:功率转换器与硅MOSFET和GaN HEMT产生的辐射电磁干扰(EMI)的比较
机译:用于LLC转换器的平行GaN HEMT的分析与优化
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:用于家用光伏应用的软开关和硬开关DC-DC升压转换器中硅MOSFET和GAN HEMT的评估