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机译:具有不同缓冲层材料(Ta或Mo)的CoFeB–MgO堆的磁性
Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, Japan;
Buffer layer; CoFeB-MgO; CoFeB¿¿¿MgO; buffer layer; magnetic damping constant; perpendicular magnetic anisotropy;
机译:MgO / CoFeB / Ta叠层的磁性能对CoFeB和Ta厚度的依赖性
机译:Ta / CoFeB / MgO和Pt / CoFeB / MgO多层薄膜叠层界面磁各向异性的起源
机译:具有CoFeB极化层的MgO基垂直磁性隧道结堆叠体中磁性的高温退火稳定性
机译:在CoFeB / MgO / CoFeB磁隧道交界处的CoFeB层和MgO阻挡层之间的界面处的退火诱导的固相外延
机译:金属上的相变材料:结晶行为及其在磁性叠层中的应用。
机译:低频交流磁化率和CoFeB / MgO / CoFeB磁性隧道结的磁性能的影响
机译:磁气回忆应用分离CoFeB / TA / CoFeB / MgO堆的研究
机译:NiO在mgO中的磁性; Ni exp +2离子和磁性有序沉淀物