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机译:AC NBTI应力导致的电路级可靠性下降
Microelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), Algiers, Algeria;
Microelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), Algiers, Algeria;
Microelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), Algiers, Algeria;
Microelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), Algiers, Algeria;
Inverters; Stress; Degradation; CMOS integrated circuits; Threshold voltage; Temperature dependence; MOS devices;
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机译:在任意应力模拟/混合信号环境中模拟NBTI降级
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机译:在时间相关的退化分析下估算应力-强度干扰可靠性的方法。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:用于模拟/混合信号可靠性仿真的任意压力NBTI紧凑模型
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