机译:InGaAs吸收剂中的碰撞电离对雪崩光电二极管过大噪声的影响
Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, U.K.;
Avalanche photodiodes; impact ionization; noise;
机译:高增益和低多余噪声InGaAs / InP雪崩光电二极管,具有横向冲击电离
机译:吸收区碰撞电离对InGaAs-InAlAs SACM雪崩光电二极管频率响应和超噪声性能的不利影响
机译:建模新型INP / INGAAS AVALANCHE光电二极管结构:减少过量噪声系数
机译:熔融InGaAs / Si雪崩光电二极管的非线性失真和过大噪声行为
机译:具有碰撞电离工程倍增区域的低噪声雪崩光电二极管。
机译:InGaAs / InAlAs单光子雪崩光电二极管的理论分析
机译:InGaas吸收体中的碰撞电离对雪崩光电二极管过量噪声的影响