机译:使用新型表面累积层晶体管(SALTran)概念实现大电流增益p-n-p晶体管
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110 016, India;
机译:基于SiGe基表面累积层晶体管(SALTran)概念的超级Beta双极晶体管:仿真研究
机译:使用新型表面累积层晶体管概念提高SiC功率BJT中的电流增益
机译:具有分子束外延的具有InAs盖层的高增益n-p-n和p-n-p InGaAs / InAlAs双异质结双极晶体管
机译:一种新的表面累积层晶体管(SALTran)概念,用于增强双极型晶体管的电流增益
机译:铝镓砷化物/铟镓砷化物/砷化镓中的P-N-P异质结双极晶体管
机译:并五苯形态和薄膜晶体管的器件性能的自组装单层结构顺序表面均匀性和表面能的影响
机译:H封端的金刚石表面上的高电流金属氧化物半导体场效应晶体管及其高频操作