机译:SOI MOSFET的全分析表面电势模型
Department of Information & Control Engineering, Hankyong National University, 67 Seokjeong, Anseong, Gyeonggi, 456-749, Korea;
机译:基于表面和体电位统一区域建模的部分/动态/完全耗尽的DG / SOI MOSFET的浮体效应
机译:Psp-soi:用于电路仿真的部分耗尽的Soi Mosfets基于高级表面势的紧凑模型
机译:动态耗尽SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑建模
机译:PSP-SOI:部分耗尽的SOI MOSFET的基于表面势的紧凑型模型
机译:模拟SOI MOSFET的有效电位。
机译:土壤-空气成分的介电常数建模及其对Sar雷达信号在土壤表面反向散射的影响
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应