深紫外窒化物混晶半導体の励起子系光物性

摘要

紫外から深紫外波長領域に基礎吸収端を有し，半導体材料のなかでも最も大きな励起子効果を期待することのできる札Al_xGa_(1-x)N混晶半導体を対象とした励起子系光物性に関して，最近の我々の実験的研究を中心に紹介する。特に，Al_xGa_(1-x)N混晶半導体に特徴的な現象として，アロイブロードニング効果と価電子帯構造に着目する。また，混晶局在系における励起子多体効果の－つとして，局在励起子分子結合エネルギーの混晶組成比依存性について考察する。