机译:使用MEMS方法的化合物半导体器件的射频和热设计
Merckstrasse 25 Institut fuer Hochfrequenztechnik Technische Universitaet Darmstadt 64289 Darmstadt Germany;
THz; power sensor; thermal management; MEMS; LTG GaAs; schottky diode;
机译:半导体:高性能有机半导体器件的接口设计原理(Adv。Sci。6/2015)
机译:用于成员和半导体器件的Rf溅射Psg膜的研究
机译:基于单中心支持MEMS器件的材料对称设计的热变形抑制芯片
机译:用于化合物半导体量子器件的金属-半导体界面和半导体表面的控制
机译:用于电子和光子器件的化合物半导体的设计,制造和表征
机译:半导体:高性能有机半导体器件的接口设计原理(Adv。Sci。6/2015)
机译:用于高性能电子器件的化合物半导体中的离子注入
机译:III-V族化合物半导体的快速热处理及其在微波器件制备中的应用