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机译:半导体-氧化物界面缺陷能级的第一原理研究:Si-SiO_2-HfO_2堆中的氧空位和氢间隙
Institute of Theoretical Physics, Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland and Institut Romand de Recherche Numirique en Physique des Materiaux (IRRMA), CH- 1015 Lausanne, Switzerland;
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机译:C- ZrO_2(111),T-ZrO_2(101)和M-ZrO_2(111)表面的氢吸附及其用于氢感和储存的氧空位缺陷:一项原则调查
机译:InGaAs /氧化物界面处As-As二聚体的能级缺陷:第一个原理研究
机译:用第一性原理计算氢原子和氢填充空位对γ-Fe中堆垛层错能的影响
机译:晶格应变和缺陷化学对氧空位迁移在(8.3%Y_2O_3-ZrO_2)/ SrTiO_3异质界面上的作用:第一个原理研究
机译:氧化ha和硅-氧化oxide界面中点缺陷的首要原理研究。
机译:具有氧空位的La1-1 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜的电子结构和磁性能:第一个原理研究
机译:GaN中碳相关能级的第一性原理研究。第一部分 - 由取代/间隙碳和间隙形成的配合物 镓/氮空位