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机译:AlGaN / GaN常关型MOSFET自终止栅极凹槽湿法刻蚀工艺中的氧化工艺研究
Inst. of Microelectron., Peking Univ., Beijing, China;
III-V semiconductors; MOSFET; X-ray photoelectron spectra; aluminium compounds; etching; gallium compounds; oxidation; wide band gap semiconductors; AlGaN-GaN; KOH solution; X-ray photoelectron spectroscopy; XPS; material characterisation methods; metal-oxide semiconductor field effect transistors; normally-off MOSFETs; oxygen element distribution; potassium hydroxide solution; self-terminating gate recess wet etching technique; temperature 650 degC; temperature 70 degC; thermal oxidation process;
机译:具有自终止TMAH湿式凹槽蚀刻功能的常关AlGaN / GaN基MOS-HEMT
机译:利用自终止栅刻蚀技术制备常关AlGaN / GaN MOSFET
机译:使用基于湿蚀刻的栅极凹槽技术的高性能常关型$ {rm Al} _ {2} {rm O} _ {3} / {rm GaN} $ MOSFET
机译:使用高2DEG密度的AlGaN / GaN源极/漏极在硅衬底上的凹栅GaN MOSFET的常关操作
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:通过ICP-RIE氧化和湿法刻蚀可控制刻蚀速率的AlGaN / GaN的精密凹槽
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。