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机译:基于ECC和非对称SRAM单元的TCAM的软错误保护
LIST, CEA, Gif-sur Yvette, France;
SRAM chips; content-addressable storage; error correction codes; ECC; TCAM; asymmetric SRAM cells; error-correcting code; error-free matching word; false-hits; false-misses; search word; soft-error protection; static random-access memory cells; ternary content-addressable memories;
机译:SiGe不对称双k间隔FinFET的6T SRAM单元,以缓解读写冲突
机译:具有0.3位以下面积的L型7T SRAM,具有读位线摆动扩展方案,该方案基于增强型读位线,非对称V $ _ {rm TH} $读端口和偏置单元VDD偏置技术
机译:基于非对称双$ k $间隔式FinFET的高性能且坚固耐用的SRAM单元
机译:基于非易失性TCAM的软容错9晶体管/ 6-磁隧道结混合单元设计
机译:在软错误恢复能力和性能约束下,根据每单位面积产量的最佳容错SRAM设计。
机译:菲霉素A核心人类脑膜瘤TCAM-2细胞中细胞骨骼结构细胞迁移和干细胞特征
机译:GpGpU中基于sRam的结构的经济有效的软错误保护
机译:不对称的软错误记忆