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650-V-Superjunction-MOSFET-Technologie

机译:650V超结MOSFET技术

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摘要

Infineon Technologies erweitert sein Produkt-Portfolio mit dem CoolMOS C7 und führt damit eine neue Generation der 650-V-Superjunction-MOSFET-Technologie ein. Die C7-Produktfamilie bietet für jedes Gehäuse, laut Infineon, den marktweit geringsten Einschaltwiderstand R_(DS(on)) und erhöht dank geringe- rer Schaltverluste den Wirkungsgrad in allen Lastbereichen. C7 ist auf den Einsatz in hart schaltenden Topologien ausgerichtet - beispielsweise Continuous Conduction Mode Power Factor Correc-tion (CCM PFC), Two Transistor For-ward (TTF) und Solar Boost.
机译:英飞凌科技正在利用CoolMOS C7扩展其产品组合,从而推出了新一代650 V超结MOSFET技术。根据英飞凌,C7产品系列提供了市场上最低的导通电阻R_(DS(on)),并且由于开关损耗较低,因此可以提高所有负载范围内的效率。 C7设计用于硬开关拓扑-例如,连续传导模式功率因数校正(CCM PFC),两个晶体管正向(TTF)和太阳能升压。

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    《Elektronik Industrie》 |2013年第5期|46-46|共1页
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