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机译:深亚微米MOSFET的漏电流模型,包括电子速度过冲
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自热和速度过冲效应
机译:超亚微米MOSFET的I-V和小信号参数模型,包括明显的电子速度过冲效应,在低温下会增强
机译:亚微米和深亚微米MOSFET的分析漏电流模型
机译:深度潜速仪MOSFET器件的速度过冲亚阈值电流模型
机译:深亚微米MOSFET器件的漏极工程
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
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