机译:一种新的写/擦除方法,基于闪存的应力泄漏电流的衰减现象来改善读取干扰特性
机译:闪存读取扰动特性推导的隧道氧化物应力致漏电流
机译:闪存EEPROM单元的新写/擦除操作技术可改善读干扰特性
机译:通过自增强读取方案提高多层NAND闪存的读取干扰特性
机译:一种新的写/擦除方法,用于基于闪存的阶梯隧穿位的去激活来减少应力引起的漏电流
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:PEDOT PSS中的电阻性切换记忆现象:可切换二极管效应和一次写入多次读取记忆并存
机译:pUD-LRU:一种用于闪存ssD的擦除高效写缓冲管理算法
机译:用于双光子3-D光存储器件的新型读/写/擦除材料