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机译:具有$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {TiN} $门堆叠的传统和高级CMOS器件在BTI应力期间快速弛豫的特性
CMOS integrated circuits; field effect transistors; hafnium compounds; peripheral interfaces; programmable circuits; sequential circuits; titanium compounds; tunnelling; HfO2-TiN; delay times; gate stacks; linear current amplifiers; nFETS; programmable PCI;
机译:具有$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {Dy} _ {2} hbox {O} _ {{3} $)栅堆叠的锗基MOS器件的介电弛豫和电荷陷阱特性研究
机译:Poly-hbox {Si} / hbox {TaN} / hbox {HfO} _ {2} $(和$ hbox {HfSiON} / hbox {HfO} _ {{2})/ hbox {Si}的栅叠中的氟钝化$通过门离子注入
机译:使用组合方法确定$ hbox {Ta} _ {1-x} hbox {Al} _ {x} hbox {N} _ {y} / hbox {HfO} _ {{2} $)中的工作函数
机译:具有耐热性能的高质量HfN / HfO / sub 2 /栅极堆叠,用于高级CMOS器件
机译:先进CMOS器件中金属栅极与高k栅极电介质的相互作用。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:带有$$ hbox {hfo} _ {2} _ {2} $$ HFO 2界面层由原子层沉积形成的AU / TI / N-GaAs设备中的屏障高度修改