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机译:使用陷阱辅助隧穿和Poole-Frenkel发射对MOSHEMT中的正向栅极泄漏电流建模
Department of Electronics and Communication EngineeringMicroelectronics and VLSI Design Group, National Institute of Technology, Silchar, India;
Gate leakage; Poole-Frenkel emission (PFE); Poole???Frenkel emission (PFE); TAT; metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT); metal???oxide???semiconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT); tunneling; tunneling.;
机译:Frenkel-Poole发射对苯并三唑和苯并噻二唑基有机器件的漏电流
机译:利用Frenkel-Poole发射和深层研究分析Ga极性GaN上Pt / Au肖特基接触中的泄漏电流机理
机译:Al_(0.83)ln_(0.17)N / AIN / GaN异质结构上的Ni / Au肖特基接触中的Frenkel-Poole发射泄漏电流
机译:基于SOI的浮体存储器的漏电流模型,包括Poole-Frenkel效应
机译:结合了Poole-Frenkel效应的高级模型对空间电荷限制的电流注入进行建模。
机译:扫描隧道显微镜发光:有限温度电流噪声和过截止辐射
机译:在Al0.83 In0.17 N / AlN / GaN异质结构上的Ni / Au肖特基接触中的Frenkel-Poole发射引起的漏电流