...
机译:具有垂直高斯型掺杂分布的双栅极无结FET的沟道电势和阈值电压的分析模型
Department of Electronics Engineering, IIT (BHU) Varanasi, Varanasi, India;
Double gate (DG); Gaussian-like doping; drain-induced barrier lowering (DIBL); junctionless FET (JLFET); short-channel effects (SCEs); short-channel effects (SCEs).;
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的短沟道双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的电势分布和阈值电压的二维模型
机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的掺杂双栅极(DG)MOSFET的表面电势和亚阈值电流的二维模型
机译:具有垂直高斯掺杂分布的双栅极(DG)MOSFET的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:印刷电解质门的定制阈值电压氧化铟通道的铬掺杂产生的场效应晶体管
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型