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机译:基于光学的4H-SiC晶闸管工作寿命和入射光特性相关性的研究
Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan;
Universite de Lyon, INSA Lyon, UMR CNRS 5005, Ampère, Lyon, France;
Universite de Lyon, INSA Lyon, UMR CNRS 5005, Ampère, Lyon, France;
Tokyo Institute of Technology, Tokyo, Japan;
Universite de Lyon, INSA Lyon, UMR CNRS 5005, Ampère, Lyon, France;
Thyristors; Optical pulses; Optical device fabrication; Integrated circuit modeling; Voltage measurement; Semiconductor process modeling; Optical variables measurement;
机译:纯电感负载电路中的18kV 4H-SiC晶闸管的大电流(1225A)光触发
机译:大电流(1300 A),高压(12 kV)4H-SiC晶闸管的光触发
机译:高压(18 kV级)光学触发4H-SiC晶闸管的接通过程的特殊功能
机译:具有逐渐掺杂的薄n基极的4H-SiC光触发晶闸管
机译:光触发发射极关断(LT-ETO)晶闸管的开发和应用。
机译:镝 - 蒽复合物的热和触发可逆互联及其响应光磁性和介电性能
机译:离散偶极近似研究银手性纳米结构的光谱对形状,尺寸和入射光的依赖性