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机译:逻辑门中印刷无机电解质门控晶体管的非准静态电容建模与表征
Karlsruhe Inst Technol Inst Nanotechnol D-76344 Eggenstein Leopoldshafen Germany|Offenburg Univ Appl Sci Dept Elect Engn & Informat Technol D-77652 Offenburg Germany;
Karlsruhe Inst Technol Inst Nanotechnol D-76344 Eggenstein Leopoldshafen Germany|Karlsruhe Inst Technol Chair Dependable Nano Comp Dept Comp Sci D-76131 Karlsruhe Germany;
Karlsruhe Inst Technol Chair Dependable Nano Comp Dept Comp Sci D-76131 Karlsruhe Germany;
Electrical double layers; electrolyte gating; impedance measurement; Meyer capacitance model; parasitic capacitances; terminal capacitances; transient simulation;
机译:本征电容对印刷电解质门无机场效应晶体管动态性能的影响
机译:印刷无机电解质门控晶体管和电路的可变性建模
机译:基于增强和耗尽模式电解质门控晶体管的印刷逻辑门
机译:基于印刷电解质门控晶体管的可编程神经形态电路
机译:增强电解质门控晶体管的动态性能:朝向快速切换,低工作电压印刷电子产品
机译:印刷电解质门控晶体管生物传感器中的微流体机会
机译:柔性电解质门控有机场效应晶体管中的自组装单层改造栅电极:功函数与电容效应