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机译:完全耗尽的SOI MOSFET亚阈值特性的瞬态行为
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:部分耗尽的SOI中与栅极NMOSFET相连的主体的陡峭亚阈值斜率特性
机译:完全耗尽的亚微米SOI MOSFET的亚阈值特性
机译:利用亚阈值斜率特性无损提取全耗尽SOI MOSFET的结构参数
机译:对部分耗尽的绝缘体上硅MOSFET的瞬态辐射影响进行建模和仿真。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应