机译:具有均匀侧面和离子注入JFET区域的新型平面功率MOSFET
On-resistance; planar power MOSFET; threshold-voltage variation; vertical double-diffused MOS (VDMOS);
机译:具有分段JFET区域的低压平面功率MOSFET
机译:JFET区域中电流分布不均匀的功率SiC DMOSFET模型
机译:具有极低功率损耗的新型4H-SiC常关横向沟道垂直JFET:具有辅助高掺杂区的源极插入双栅结构
机译:具有不同JFET区域宽度的平面栅极SiC MOSFET的雪崩可靠性及其与特性性能的平衡
机译:在挤压区域和附近仿真MOSFET,BJT和JFET
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:双离子植入通过双离子植入减少功率MOSFET中JFET区域电阻的性能
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长