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机译:使用段拓扑技术设计高保持电压的4H-SiC基硅控制整流器,用于高压ESD保护
Dankook Univ Dept Elect & Elect Engn Yongin 16890 South Korea;
Dankook Univ Dept Elect & Elect Engn Yongin 16890 South Korea;
Elect & Telecommun Res Inst ICT Creat Res Lab Daejeon 34129 South Korea;
Dankook Univ Dept Elect & Elect Engn Yongin 16890 South Korea;
Electrostatic discharges; Silicon carbide; Topology; Reliability; Electric variables; Temperature; Silicon; Silicon carbide; electrostatic discharge; silicon-controlled rectifier (SCR); holding voltage; 4H-SiC;
机译:具有无回跳性能的新型可控硅整流器,可提供高压和鲁棒的ESD保护
机译:适用于高压ESD保护应用的可控硅整流器堆叠结构
机译:适用于高压静电放电(ESD)应用的新型可控硅整流器(SCR)
机译:低压可控硅整流器ESD保护电路设计与分析
机译:先进的高压4H碳化硅肖特基整流器的设计,建模,制造和表征。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:具有降低电压过冲的二极管触发硅控整流器,用于CDm EsD保护
机译:系列硅控整流逆变器的设计。