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Power-supply interrupter fights ESD-induced device latch-up

机译:电源中断器可抵抗ESD引起的器件闩锁

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摘要

Under certain conditions, ESD events can damage digital circuits by causing latch-up. For example, when ESD triggers them, parasitic transistors normally formed as parts of a CMOS device can behave as an SCR (silicon-controlled rectifier). Once ESD triggers, the SCR presents a low-resistance path between portions of the CMOS device and conducts heavily. Damage to the device can result unless you immediately remove power from the circuit. ESD from human interaction presents a significant problem for mobile industrial and medical devices. For adequate ESD protection, most medical and industrial devices require a grounded return path for ESD currents. In the real world, mobile devices may serve in environments in which properly grounded power outlets are unavailable.
机译:在某些情况下,ESD事件会引起闩锁,从而损坏数字电路。例如,当ESD触发它们时,通常形成为CMOS器件一部分的寄生晶体管可以充当SCR(硅控整流器)。一旦ESD触发,SCR就会在CMOS器件各部分之间提供一条低电阻路径,并且导电能力很强。除非立即断开电路电源,否则可能会损坏设备。人类交互作用产生的ESD对移动工业和医疗设备提出了重要问题。为了获得足够的ESD保护,大多数医疗和工业设备都需要一条接地的ESD电流返回路径。在现实世界中,移动设备可能会在没有正确接地的电源插座的环境中使用。

著录项

  • 来源
    《Electrical Design News》 |2005年第15期|p.69|共1页
  • 作者

    Emerson Segura;

  • 作者单位

    Lifescale Global Diagnostics Inc, Toronto, ON, Canada;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
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