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【24h】

電子線ホログラフィを用いた化合物半導体解析法を確立: 微量な不純物濃度差を捉えることに世界で初めて成功

机译:建立使用电子全息图的化合物半导体分析方法:捕获痕量杂质浓度差异的世界首创

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摘要

古河電気工業(株)は,(一財)ファインセラミックスセンター(以下,JFCC)との共同研究で,電子線ホログラフィを用いた化合物半導体中の不純物分布解析手法を確立した。本研究では,化合物半導体のpn接合だけではなく,極めて微量な不純物濃度差を捉えることに世界で初めて成功した。同社の光通信,産業用レーザ製品は,化合物半導体材料を用いて作製し,微量の不純物を混入させてデバイス構造を設計している。これらの製品はナノレベルで構成されているため,製造及び開発する上で,製品中の不純物分布もナノレベルで解析することが必要となっている。
机译:古河电工株式会社与精细陶瓷中心(JFCC)合作建立了一种利用电子全息术分析化合物半导体中杂质分布的方法。在这项研究中,我们不仅在化合物半导体的pn结方面取得了成功,而且在世界范围内也首次成功地捕获了极小的杂质浓度差异。该公司的光通信和工业激光产品是使用化合物半导体材料制造的,并且器件结构是通过掺入少量杂质而设计的。由于这些产品是在纳米级组成的,因此有必要在制造和开发过程中分析产品在纳米级的杂质分布。

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  • 来源
    《電気評論》 |2014年第11期|37-37|共1页
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