机译:单和双(重叠)受激准分子激光退火对固相结晶硅膜的影响
Samsung Mobile Display Co., LTD., San #24, Nongseo-dong, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 446-711, Republic of Korea;
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Department of Physics, Chungnam National University, Daejeon 305-764, Republic of Korea;
AMOLED; Thin film transistors; Excimer laser annealing; Solid phase crystallization;
机译:单和双(重叠)扫描区域中形成的多晶硅形态上受激准分子激光退火的薄膜晶体管的特性
机译:准分子激光退火,固相结晶和连续波激光横向结晶形成的多晶硅薄膜缺陷的电化学和拉曼散射表征
机译:固相和受激准分子激光退火结晶的多晶硅薄膜中的缺陷
机译:通过固相和准分子激光退火结晶的多晶硅薄膜中的多晶硅薄膜缺陷
机译:用于单片3D集成的硅薄膜的准分子激光结晶。
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:准分子激光退火铝诱导的硅薄膜晶化
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长