Propriedades Eletr?nicas do Grafeno investigada pelo modelo Tight Binding

摘要

Alguns estudos teóricos s?o desenvolvidos a partir da resolu??o da equa??o de Schrodinger e de outra forma, utiliza-se o teorema de Bloch para descrever o movimento dos elétrons em um potencial específico, resolvendo o Hamiltoniano adequadamente. Aplica-se um potencial simétrico e esférico, que resulta em uma estrutura de bandas de energia para os elétrons da rede cristalina. No entanto, há determinado formalismo teórico cuja investiga??o das propriedades eletr?nicas sejam válidas apenas para estruturas simétricas. Neste trabalho, mostra-se o desenvolvimento de um formalismo analítico que permite estudar qualque material com determinada simetria , desde uni (1D) e bidimensionais (2D), usando Tight Binding Model (TB) para investiga??o das propriedades eletr?nicas. Nesse sentido foi usado o teorema de Bloch e a estrutura recíproca do vetor de ondas de um determinado material cristalino, com geometria espacial confinada à Primeira Zona de Brillouin. A solu??o da equa??o de Schrodinger independente do tempo foi aplicada a uma destas estruturas, a do grafeno, para examinar suas propriedades eletr?nicas. A aplica??o do modelo TB apresentou resultados importantes, como a obten??o dos seis pontos de Dirac para o grafeno, que s?o regi?es de estudos para o entendimento de suas propriedades de condu??o eletr?nica.