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机译:用替代前体氯化肼和三异丁基铝的原子层沉积铝氮化铝纳米铝
机译:使用异丙醇二甲基铝作为替代铝前体通过原子层沉积提高了Al掺杂ZnO的掺杂效率
机译:使用异丙醇二甲基铝[Al(CH3)2(μ-O i sup> Pr)] 2作为替代铝前体的Al2O3的等离子体增强和热原子层沉积
机译:使用氯原子络合的电化学原子层沉积(E-ALD)形成钯纳米膜
机译:三甲基铝(TMA)和氨气中氮化铝薄膜的原子层沉积
机译:用于氮化铝原子层沉积的氮化镓的表面制备。
机译:等离子增强原子层沉积法生长的电力电子应用氮化铝过渡层
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:氮化铝沉积的前驱体研究