...
机译:TCAD模拟n-p背面照明硅光电倍增管的击穿特性
Silicon photomultiplierBackside-illuminationBreakdown voltageTCAD simulation;
机译:TCAD模拟n-p背面照明硅光电倍增管的击穿特性
机译:p对n和n对p硅光电倍增管的电光性能
机译:硅光电倍增管的击穿猝灭特性及机理
机译:通过TCAD仿真对3D硅纳米线SONOS存储器特性进行深入分析
机译:使用TCAD仿真探索硅/硅锗量子阱薄膜热电器件。
机译:基于15厘米AFOV TOF PET / CT的硅光电倍增管的性能特征
机译:多晶硅薄膜晶体管电气特性的TCAD模拟