Influencia De Los Parámetros De Deposición En La Característica I Vs. V De La Estructura ITO/Alq3/Al

摘要

Películas de 8-(tris-hidroxiquinolato) de aluminio (Alq3) fueron depositadas por evaporación térmica en alto vacío sobre substratos de vidrio recubiertos con indio dopado con estaño (ITO, resistencia de hoja de 20 /□). Sobre la película orgánica se depositó, también por evaporación térmica, una capa metálica de Al a manera de electrodo para medir las propiedades eléctricas de las capas orgánicas depositadas. Estos contactos se depositaron a través de una máscara que permitió obtener electrodos de 3 mm de diámetro sobre diferentes puntos de la capa orgánica. La presión de deposición fue inferior a 2x10-5 mBar. Las propiedades de transporte de la estructura ITO/Alq3/Al se investigaron a temperatura ambiente tomando medidas de la característica I-V, mediante la aplicación de una diferencia de potencial entre el electrodo transparente de ITO y el de Al, usando el contacto de aluminio como cátodo inyector de electrones y el contacto transparente como inyector de huecos. Se analizó la estructura por medio del modelo SCLC y TCLC se encontró que hay una profundidad de trampas del orden de 0,1eV.   Thin films of aluminum tris(8-hydroxiquinoline) (Alq3) were deposited by thermal deposition in high vacuum, on Indium Tin Oxide (ITO, resistivity 20 /□). On the organic film it was deposited, also by thermal evaporation, a metallic layer of Al as electrode in order to measure the electrical properties of the deposited organic layers. These contacts were deposited through a mask that allowed to obtain circular electrodes of 3 mm in diameter on different sites of the organic layer. The deposition pressure was less than 2x10-5 mBar. The transport properties of the ITO/Alq3/Al structure were investigated at room temperature by measuring the I-V characteristic, applying a potential difference between the transparent electrode of ITO and the one of Al, using the aluminum contact as cathode electron injector and the transparent contact like hole injector. The structure was analyzed by means of the SCLC and TCLC models and it was found that there is a trap level at a depth of the order of 0,1 eV.