机译:28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET评估:设计指南-第一部分
Department of Electrical and Electronics Engineering, Lebanese International University, Beirut, Lebanon ,IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence cedex, France;
Department of Electrical and Electronics Engineering, Lebanese International University, Beirut, Lebanon;
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Talence cedex, France;
Department of Industrial Engineering, Lebanese International University, Beirut, Lebanon;
UTBB FD-SOI: Ultra-Thin Body and Box Fully Depleted Silicon on Insulator; Tri-Gate FinFET; DIBL: Drain Induced Barrier Lowering;
机译:28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET评估:设计指南-第一部分
机译:28-nm UTBB FD-SOI与22-nm Tri-Gate FinFET的综述:设计指南-第二部分
机译:28-NM UTBB FD-SOI与22-NM Tri-Gate Finfet评论:设计师指南 - 第二部分
机译:采用28 nm UTBB FD-SOI技术的AB类与J类5G功率放大器实现高效运行
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