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机译:宽带隙设备在1 kV,3 kW LLC转换器中的比较
Hebei Semiconductor Research Institute Shijiazhuang 050051 China;
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Aero-Power Sci-Tech Center Nanjing University of Aeronautics and Astronautics Nanjing 210016 China;
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Silicon carbide; Prototypes; Gallium nitride; Switches; HEMTs; MODFETs; MOSFET;
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