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Thienopyrrolyl dione end-capped oligothiophene ambipolar semiconductors for thin film- and light emitting transistors

机译:噻吩并吡咯烷二酮封端的低聚噻吩双极性半导体,用于薄膜和发光晶体管

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摘要

The design, synthesis and structure-property investigation of a new thienopyrrolyl dione substituted oligothiophene material showing reduced band gap energy, low lying LUMO energy level and ambipolar semiconducting behaviour is described.
机译:描述了一种新型的噻吩并吡咯基二酮取代的低聚噻吩材料的设计,合成和结构性质研究,该材料显示出降低的带隙能,低的LUMO能级和双极性半导体行为。

著录项

  • 来源
    《Chemical Communications》 |2011年第43期|p.11840-11842|共3页
  • 作者单位

    Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivitd (ISOF), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy,CNR-htituto di Chimica del Composti Organometallici (ICCOM), Via Madonna del Piano 10, 50019, Sesto Fiorentino (FI), Italy;

    Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivitd (ISOF), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;

    Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivitd (ISOF), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;

    Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivitd (ISOF), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;

    Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivitd (ISOF), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;

    Dipartimento di Chimica 'G. Ciamician', Universitd di Bologna, Via Selmi, 2 40138 Bologna, Italy;

    CNR-Istituto per lo studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy.;

    CNR-Istituto per lo studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy.;

    CNR-Istituto per lo studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy.;

    CNR-Istituto per lo studio dei Materiali Nanostrutturati (ISMN), Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy.,E.T.C. srl, Via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;

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