机译:光辅助扫描探针显微镜表征AlGaN / GaN / Si异质结构的电性能
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Microsyst Elect & Photon Janiszewskiego 11-17 PL-50372 Wroclaw Poland;
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Microsyst Elect & Photon Janiszewskiego 11-17 PL-50372 Wroclaw Poland;
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Microsyst Elect & Photon Janiszewskiego 11-17 PL-50372 Wroclaw Poland;
AlGaN/GaN; Two dimensional gas; Scanning Probe Microscopy; Surface defects;
机译:使用扫描电容显微镜的AlGaN / GaN / Si异质结构的缺陷相关不均匀性的表面电学特性
机译:扫描电容显微镜探测AlGaN / GaN异质结构的局部电子性质
机译:扫描电容显微镜探测AlGaN / GaN异质结构的局部电子性质
机译:通过扫描kelvin探针显微镜表征GaN和Al {Sub} 0.35gA {} 0.65N / GaN异质结构
机译:GaN NWS的多功能性质应用于纳米术,纳米级,扫描探针显微镜/光刻
机译:AlGaN / GaN异质结构上的近表面处理:纳米级电学和结构表征
机译:伪形高电子迁移率晶体管,AlGaN / GaN和Si微型霍尔探针的成像能力,可在25至125°c之间扫描霍尔探针显微镜
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响