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机译:二维Al_XGA_(1-X)n / GaN异质结构与可变Al含量的比较研究
Nanjing Univ Sci & Technol Sch Elect & Opt Engn Dept Optoelect Technol Nanjing 210094 Peoples R China;
Nanjing Univ Sci & Technol Sch Elect & Opt Engn Dept Optoelect Technol Nanjing 210094 Peoples R China;
Nanjing Univ Sci & Technol Sch Elect & Opt Engn Dept Optoelect Technol Nanjing 210094 Peoples R China;
Two-dimensional GaN; Heterostructure; Variable Al contents; First principles;
机译:Al含量对GaN / Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气传输特性的影响
机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中二维电子气的子带结构和传输特性
机译:高Al含量Al_xGa_(1-x)N / GaN双异质结构中的二维电子气密度
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:垂直外电场调节蓝色磷/石墨烯类GaN van der Waals异质结构的电子性质
机译:二维外侧GaN / SiC异质结构:电子和磁性的第一原理研究
机译:HgTe / CdTe和Hg(1-x)Cd(x)Te / CdTe异质结和超晶格电子性质的实验研究