机译:压电响应力显微镜对离子束刻蚀Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的压电评估
Laboratoire de Physico-Chimie des Interfaces et Applications (LPCIA), CNRS FRE 2485, Faculte des Sciences Jean Perrin, Universite d'Artois, Rue Jean Souvraz, SP 18. 62307 Lens Cedex, France;
Pb(Zr,Ti)O_3 thin films; ion beam etching; atomic force microscopy; surface morphology; piezoresponse force microscopy; local piezoelectric hysteresis loops;
机译:离子束和反应离子束刻蚀的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的局部压电性能比较分析
机译:压电响应力显微镜探测PbZr_(0.65)Ti_(0.35)O_3薄膜的局部极化特性的低温演化
机译:勘误表:“使用二次谐波压电响应力显微镜直接观察外延生长的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的疲劳” [Appl。物理来吧99,052904(2010)]
机译:用压电响应扫描力显微镜检查外延PB(Zr,Ti)O_3薄膜偏振切换域壁速度和成核速率
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:PB1-Xlax(Zr0.52Ti0.48)的压电性能1-X / 4O3薄膜通过原位X射线衍射研究
机译:错误的:通过使用压电响应力显微镜获得的PBZR1X Ti X O3薄膜的铁电域的光诱导效果