机译:后退火对磁控溅射制备的基于ZnO薄膜的声表面波器件的影响
School of Electrical Engineering, University ofulsan, San 29, Mugeodong, Namgu, Ulsan 680-749, Republic of Korea;
School of Electrical Engineering, University ofulsan, San 29, Mugeodong, Namgu, Ulsan 680-749, Republic of Korea;
ZnO,r.f. Sputtering,SAW devices,Post-annealing;
机译:几何形状和后退火对磁控溅射制备的AlN薄膜的表面声波特性的影响
机译:高频表面声波器件的射频磁控溅射在具有Al_2O_3缓冲层的SiO_2 / Si衬底上沉积ZnO薄膜
机译:射频磁控溅射系统制备的掺锂ZnO薄膜的压电和铁电性的原位后退火技术
机译:溅射时间对磁控溅射制备ZnO薄膜性能的影响
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:直流反应磁控溅射制备纳米结构多孔ZnO薄膜的表面性能
机译:通过结构,发光和Judd-Ofelt分析来研究退火后处理对射频磁控溅射制备的AIN:Tb薄膜的影响