机译:从头算计算研究氢在C端基β-SiC(001)-c(2 x 2)表面上诱导的纳米隧道结构
Univ Fed Santa Maria, Dept Quim, BR-97105900 Santa Maria, RS, Brazil;
Univ Fed Santa Maria, Dept Fis, BR-97105900 Santa Maria, RS, Brazil;
Univ Andres Bello, Dept Ciencias Fis, Santiago 8370134, Chile;
Univ Fed Uberlandia, Inst Fis, BR-38408100 Uberlandia, MG, Brazil;
beta-SiC(001); DFT; Hydrogenation; Nanotunnel formation;
机译:通过第一性原理计算,对C端接的β-Mo2C(001)表面结构的新见解
机译:氢对TM(001)(TM = Fe,Co,Ni和Cu)表面和界面的电子和磁性结构的影响:从头算
机译:GaP(001)-4×2-In表面的结构通过LEED,STM,光电子能谱和从头算计算进行了研究
机译:Ag在3C-SiC(001)c(2x2)C终止和c(4x2)Si终止的表面上的生长
机译:离子表面上物理吸附的双原子分子的结构,稳定性和相变的计算机模拟:一氧化碳/氧化镁(001),氮/氧化镁(001)和氮/氯化钠(001)系统。
机译:氢致半导体表面内的纳米隧道开口
机译:氢致半导体表面内的纳米隧道开口
机译:用扫描隧道显微镜研究β-siC(001)和(111)表面