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Contactless photoconductivity measurements on (Si) nanowires

机译:(Si)纳米线上的非接触式光电导率测量

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摘要

Conducting nanowires possess remarkable physical properties unattainable in bulk materials. However our understanding of their transport properties is limited by the difficulty of connecting them electrically. In this letter we investigate phototransport in both bulk silicon and silicon nanowires using a superconducting multimode resonator operating at frequencies between 0.3 and 3 GHz. We find that whereas the bulk Si response is mainly dissipative, the nanowires exhibit a large dielectric polarizability. This technique is contactless and can be applied to other semiconducting nanowires and molecules.
机译:导电纳米线具有在散装材料中无法实现的卓越物理性能。但是,我们对它们的传输特性的理解受到电连接难度的限制。在这封信中,我们使用在0.3至3 GHz之间的频率工作的超导多模谐振器研究了体硅和硅纳米线中的光传输。我们发现,尽管体硅响应主要是耗散的,但纳米线却表现出较大的介电极化率。该技术是非接触式的,可以应用于其他半导体纳米线和分子。

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  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第5期|共页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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