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机译:使用晶格匹配的InAlN电子阻挡层的III型氮化物可见光发光二极管中的电子溢出和有限的空穴注入导致的效率下降
Center for Compound Semiconductors and School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Dr. NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA;
机译:使用晶格匹配的InAIN电子阻挡层的III族氮化物可见光发光二极管中的电子溢出和有限的空穴注入导致的效率下降
机译:具有InAlN电子阻挡层的III型氮化物可见光发光二极管的峰值量子效率和效率下降
机译:通过在绿色发光二极管中使用有源层友好的晶格匹配的InAlN电子阻挡层来提高量子效率
机译:通过设计电子阻挡层减少GaN / IngaN多量子孔发光二极管的Si-掺杂屏障模型的效率下垂
机译:iii-v氮化物基发光二极管的峰值辐射效率和电子漂移引起的效率下降。
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:评“直接测量从电子发射的俄歇电子 电注入半导体发光二极管:识别 效率下垂的主导机制“[phys.Rev。Lett.110,177406 (2013)]
机译:利用脱氧核糖酸复合物作为电子阻挡层提高有机发光二极管的发光效率。