机译:生长温度和温度梯度对m面GaN中深能级缺陷掺入的影响
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA|c|;
机译:生长温度和温度梯度对m面GaN中深能级缺陷掺入的影响
机译:Si掺杂效率的生长温度依赖性和补偿Al_(0.7)Ga_(0.3)N中深层缺陷的掺入
机译:金属有机化学气相沉积法生长m面GaN中深层缺陷的评估
机译:低温分子束外延的Si中深层的生长温度效应
机译:用深层瞬态光谱法(DLTS)表征4H-SiC的缺陷及其对器件性能的影响
机译:分子束外延在低温下生长的n型GaAsBi合金的深层缺陷及其对光学性能的影响
机译:外加GaN薄膜中电流 - 电压 - 温度分析与深能级缺陷的相关性
机译:生长温度对Inassb中sb掺入的影响以及Bi表面活性剂的温度依赖性影响。