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机译:p-GaN中两步掺Mg对不具有AlGaN电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管的效率特性的影响
Department of Physics, Inha University, Inchon 402-751, South Korea|c|;
机译:p-GaN中两步掺Mg对不具有AlGaN电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管的效率特性的影响
机译:模拟AlGaN电子阻挡层对InGaN蓝色发光二极管特性的影响
机译:通过使用AlGaN阶梯状势垒的无电子阻挡层的蓝色InGaN发光二极管的优势
机译:用P型电子阻挡层和N型空穴阻挡层的蓝色IngaN发光二极管的调制性能
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:n型和p型AlGaN电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱发光二极管的影响
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验