机译:近场光致发光研究半极性<202>(202’1) InGaN>量子阱中不同位点之间的载流子重新分布
Department of Materials and Nano Physics, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 16440 Kista, Sweden;
机译:通过近场光致发光研究了半极性(2021)InGaN量子阱中不同位点之间的载流子重新分布
机译:用光致发光研究InGaN / GaN量子阱中两种局部状态之间的载流子重分布
机译:在纳米棒模板上生长的
机译:确定用于理论预测半极性和非极性InGaN量子阱激光二极管的光学增益特性的InGaN合金材料中的形变电势
机译:公平还是偏爱?运输资金公式产生的地理重新分配和财政均等
机译:用光致发光研究InGaN / GaN量子阱中两种局部状态之间的载流子重分布
机译:通过光致发光研究的Ingan / GaN量子孔的两种局部状态之间的载体再分配