机译:在ZnO电荷俘获层中嵌入石墨烯纳米片增强了记忆效应
Department of Electrical Engineering and Computer Science (EECS), Institute Center for Microsystems–iMicro, Masdar Institute of Science and Technology, Abu Dhabi, United Arab Emirates;
机译:在ZnO电荷俘获层中嵌入石墨烯纳米片增强了记忆效应
机译:通过将量子限制在嵌入ZnO电荷陷阱层的16 nm InN纳米颗粒中来增强存储效果
机译:通过嵌入ZnO电荷俘获层的16nm InN纳米粒子的量子限制增强了记忆效应
机译:利用HfO
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:带有原子层沉积ZnO电荷陷阱层的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储器的电压极性相关编程行为
机译:在znO电荷俘获层中嵌入石墨烯纳米片增强了记忆效应