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Leakage current behavior in lead-free ferroelectric „K,Na…NbO3-LiTaO3-LiSbO3 thin films

机译:无铅铁电体K,Na…NbO3-LiTaO3-LiSbO3薄膜的漏电流行为

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摘要

Conduction mechanisms in epitaxial u0002001u0003-oriented pure and 1 mol % Mn-dopednu0002K0.44 ,Na0.52 ,Li0.04u0003u0002Nb0.84 ,Ta0.1 ,Sb0.06u0003O3 u0002KNN-LT-LSu0003 thin films on SrTiO3 substrate wereninvestigated. Temperature dependence of leakage current density was measured as a function ofnapplied electric field in the range of 200–380 K. It was shown that the different transportnmechanisms dominate in pure and Mn-doped thin films. In pure u0002KNN-LT-LSu0003 thin films,nPoole-Frenkel emission was found to be responsible for the leakage, while Schottky emission wasnthe dominant mechanism in Mn-doped thin films at higher electric fields. This is a remarkable yetnclear indication of effect of 1 mol % Mn on the resistive behavior of such thin films. © 2010nAmerican Institute of Physics. u0004doi:10.1063/1.3531575
机译:研究了在SrTiO3衬底上外延u0002001u0003取向纯和1 mol%Mn掺杂的nu0002K0.44,Na0.52,Li0.04u0003u0002Nb0.84,Ta0.1,Sb0.06u0003O3 u0002KNN-LT-LSu0003薄膜的导电机理。在200–380 K范围内,测得的泄漏电流密度与温度的相关性是施加电场的函数。结果表明,在纯净和Mn掺杂的薄膜中,不同的传输机理占主导地位。在纯u0002KNN-LT-LSu0003薄膜中,发现nPoole-Frenkel发射是造成泄漏的原因,而肖特基发射是高电场下Mn掺杂薄膜的主要机理。这是一个显着的尚不清楚的迹象,表明1 mol%Mn对此类薄膜的电阻行为有影响。 ©2010n美国物理研究所。 u0004doi:10.1063 / 1.3531575

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第26期|p.1-3|共3页
  • 作者

    M. Abazari and A. Safari;

  • 作者单位

    Glenn Howatt Electroceramics Laboratories, Department of Materials Science and Engineering, Rutgers,The State University of New Jersey, New Jersey 08854, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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