机译:AlInN / AlN / GaN异质结构中的铟偏析
Dipartimento di Fisica, Università di Bologna, Viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy;
机译:AlInN / AlN / GaN单通道和AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构中的电流传输机制
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:高质量AlGaN / AlN / GaN和AlInN / AlN / GaN二维电子气异质结构的传输性能比较
机译:使用AlInN / AlN / GaN异质结构增强电性能
机译:III型氮化物异质结构器件中的压电和铟偏析。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:AlInN / AlN / GaN单通道和AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构中的电流传输机制
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管