机译:一种记忆窗口表达,以评估铁电FET的耐久性
Department of Engineering "Enzo Ferrari " University of Modena and Reggio Emilia Modena 41125 Italy;
Department of Engineering "Enzo Ferrari " University of Modena and Reggio Emilia Modena 41125 Italy;
School of Electrical and Computer Engineering Purdue University West Lafayette Indiana 47907 USA;
机译:使用5nm Hf 0.5 sub> Zr 0.5 sub> O 2 sub>的非易失性铁电FET具有高数据保留和读取耐久性,适用于1T存储器应用
机译:高度缩放,高耐久性,Ω栅极,纳米线铁电FET存储器晶体管
机译:内存窗口和HF <下标> 0.5 下标> Zr <下标> 0.5 下标>的耐久性> 2 下标>基于ZrO <下标> 2 下标>种子层的耐用性快电压脉冲测量
机译:首先演示BEOL兼容的铁电TCAM,具有2.9 V,缩放通道长度为40nm的大存储器窗口的A-IGZO FE-TCT,较高,高耐久性为108个循环
机译:铁电场效应晶体管内存的性能评估与改进
机译:具有快速电压脉冲测量特性的ZrO2种子层的基于Hf0.5Zr0.5O2的FeFET的存储窗口和耐久性的提高
机译:一种记忆窗口表达,以评估铁电FET的耐久性
机译:铁电氧化物存储FET(FEmFET)开发。