机译:错误:“GA_2O_3-AL_2O_3合金的结构和电子特性”[APPL。物理。吧。 112,242101(2018)]
Univ Calif Santa Barbara Mat Dept Santa Barbara CA 93106 USA;
Lawrence Livermore Natl Lab Livermore CA 94550 USA;
Univ Calif Santa Barbara Mat Dept Santa Barbara CA 93106 USA;
Univ Calif Santa Barbara Mat Dept Santa Barbara CA 93106 USA;
机译:勘误:“衬底无序在硅量子阱中谷裂中的关键作用”
机译:勘误表:“在p-n La_(0.88)Sr_(0.12)FeO_3 / SrTiO_3(001)异质结处的能带排列和电催化活性” [Appl。物理来吧112,261601(2018)]
机译:错误:'P-N LA_(0.88)SR_(0.12)FEO_3 / SRTIO_3(001)异质结'[APPL。物理。吧。 112,261601(2018)]
机译:第一原理研究L10和L12 Fexpt_(1-x)合金的结构,电子和机械性能
机译:砷化镓氮和砷化镓铋:两种共振态半导体合金的结构和电子性质。
机译:勘误表:丝绸上的硅电子产品是通往可生物吸收可植入设备的途径物理来吧95133701(2009)
机译:错误:“Ga2O3-Al2O3合金的结构和电子性质”Appl。物理。吧。 112,242101(2018)