机译:控制薄的界面缓冲层以提高Ta / Ta_2O_5 / Pt电阻式开关存储器的可靠性
机译:利用Bi_2SiO_5薄膜存储器件中的NiO缓冲层显着改善了均匀的双极电阻开关性能
机译:通过在基于aCOx的导电桥随机存取存储器中使用优化的AlOx界面层来控制铜在电阻开关,人工突触和葡萄糖/唾液检测上的迁移
机译:通过在基于aCOx的导电桥随机存取存储器中使用优化的AlOx界面层来控制铜在电阻开关,人工突触和葡萄糖/唾液检测上的迁移
机译:使用新型双层GE_(0.2)SE_(0.8)/ TA_2O_5固体电解质改进电阻开关存储器特性
机译:多层薄膜磁阻存储元件的开关阈值研究
机译:人工控制电阻迁移中的铜迁移通过在基于a-COx的导电桥随机访问存储器中使用优化的AlOx界面层来进行突触和葡萄糖/唾液检测
机译:数据集用于符合要求的ZrO2 / ZrO2-x / ZrO2电阻存储器,具有可控的界面多态开关行为